A Samsung lança o primeiro HBM4 comercial do setor com desempenho máximo para computação de IA

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Samsung lança o primeiro HBM4 comercial do setor com desempenho máximo para computação de IA

Business Wire

Qui, 12 de fevereiro de 2026 às 18h48 GMT+9 Leitura de 4 min

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Samsung lança o primeiro HBM4 comercial do setor com desempenho máximo para computação de IA

Produção em massa do HBM4 com velocidade de transferência consistente de 11,7Gbps, capaz de atingir até 13Gbps

DRAM de ponta com die lógico de 4nm maximiza desempenho, fiabilidade e eficiência energética para os centros de dados de próxima geração

Tecnologia de processo segura e capacidades de fornecimento fortalecem o roteiro do HBM da Samsung além do HBM4

SEUL, Coreia, 12 de fevereiro de 2026–(BUSINESS WIRE)–A Samsung Electronics Co., Ltd., líder global em tecnologia de memória avançada, anunciou hoje que iniciou a produção em massa do seu HBM4 líder do setor e enviou produtos comerciais aos clientes. Este feito marca uma primeira na indústria, garantindo uma posição de liderança precoce no mercado de HBM4.

Ao aproveitar proativamente o seu processo de DRAM de 6ª geração, classe 10 nanômetros (nm) (1c), a empresa obteve rendimentos estáveis e desempenho líder na indústria desde o início da produção em massa — tudo realizado de forma fluida e sem necessidade de redesigns adicionais.

“Em vez de seguir o caminho convencional de usar designs comprovados existentes, a Samsung deu um salto e adotou os nós mais avançados, como o DRAM 1c e o processo lógico de 4nm para o HBM4,” disse Sang Joon Hwang, Vice-Presidente Executivo e Chefe de Desenvolvimento de Memória na Samsung Electronics. “Ao aproveitar nossa competitividade de processo e otimização de design, conseguimos garantir uma margem de desempenho substancial, permitindo-nos atender às crescentes demandas dos nossos clientes por maior desempenho, quando eles precisarem.”

Estabelecendo o padrão para desempenho e eficiência máximos

O HBM4 da Samsung oferece uma velocidade de processamento consistente de 11,7 gigabits por segundo (Gbps), superando o padrão da indústria de 8Gbps em aproximadamente 46% e estabelecendo um novo marco para o desempenho do HBM4. Isso representa um aumento de 1,22x em relação à velocidade máxima de pinos de 9,6Gbps do seu antecessor, HBM3E. O desempenho do HBM4 pode ser ainda mais aprimorado até 13Gbps, mitigando efetivamente os gargalos de dados que se intensificam à medida que os modelos de IA continuam a escalar.

Além disso, a largura de banda total de memória por pilha única é aumentada em 2,7x em comparação com o HBM3E, atingindo um máximo de 3,3 terabytes por segundo (TB/s).

Através da tecnologia de empilhamento de 12 camadas, a Samsung oferece o HBM4 em capacidades que variam de 24 gigabytes (GB) a 36GB. A empresa também manterá suas opções de capacidade alinhadas com os cronogramas futuros dos clientes, utilizando empilhamento de 16 camadas, o que expandirá as ofertas para até 48GB.

Para enfrentar os desafios de consumo de energia e térmicos causados pelo aumento do número de pinos de 1.024 para 2.048, a Samsung integrou soluções avançadas de design de baixo consumo energético no die principal. O HBM4 também alcança uma melhoria de 40% na eficiência energética ao aproveitar tecnologia TSV de baixa voltagem e otimização da rede de distribuição de energia (PDN), além de melhorar a resistência térmica em 10% e a dissipação de calor em 30%, em comparação com o HBM3E.

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Ao oferecer desempenho excepcional, eficiência energética e alta fiabilidade para os ambientes de centros de dados de amanhã, o HBM4 da Samsung permite aos clientes maximizar o throughput de GPU e gerir eficazmente o custo total de propriedade (TCO).

Capacidades de produção abrangentes e ágeis

A Samsung compromete-se a avançar no seu roteiro de HBM através de recursos de fabricação abrangentes — incluindo uma das maiores capacidades de produção de DRAM e infraestruturas dedicadas na indústria — garantindo uma cadeia de fornecimento resiliente para atender ao aumento projetado na procura por HBM4.

Uma otimização integrada de tecnologia de design (DTCO) entre os negócios de Foundry e Memória da empresa permite garantir os mais altos padrões de qualidade e rendimento. Além disso, a vasta experiência interna em embalagem avançada permite ciclos de produção mais rápidos e tempos de entrega reduzidos.

A Samsung também planeja ampliar o escopo de sua parceria técnica com parceiros-chave, com base em discussões próximas com fabricantes globais de GPU e hyperscalers focados no desenvolvimento de ASICs de próxima geração.

A Samsung prevê que suas vendas de HBM mais do que tripliquem em 2026 em relação a 2025, e está expandindo proativamente sua capacidade de produção de HBM4. Após o sucesso do lançamento do HBM4 no mercado, a amostragem do HBM4E deve começar na segunda metade de 2026, enquanto amostras personalizadas de HBM começarão a chegar aos clientes em 2027, de acordo com suas especificações respectivas.

Sobre a Samsung Electronics Co., Ltd.

A Samsung inspira o mundo e molda o futuro com ideias e tecnologias transformadoras. A empresa está redefinindo os mundos de TVs, sinalização digital, smartphones, wearables, tablets, eletrodomésticos e sistemas de rede, bem como memória, LSI de sistema e foundry. A Samsung também avança em tecnologias de imagem médica, soluções HVAC e robótica, enquanto cria produtos inovadores para automóveis e áudio através da Harman. Com seu ecossistema SmartThings, colaboração aberta com parceiros e integração de IA em seu portfólio, a Samsung oferece uma experiência conectada inteligente e contínua. Para as últimas notícias, visite o Samsung Newsroom em news.samsung.com.

Ver versão original no businesswire.com:

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Samsung Semiconductor Europe GmbH
Tel. +49(0)89-45578-1000
Email: sseg.comm@samsung.com

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