亲爱的广场用户们,广场使用界面全新升级啦!新版本界面更清新简洁、操作更流畅丝滑,还有多项贴心新功能上线,快来更新体验吧!你对新版界面有什么感受?你最喜欢的新功能是哪一个?你发现了哪些惊喜或变化呢?发帖分享新版广场使用体验,瓜分 $10 分享奖励!
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广场界面焕新介绍文章:https://gate.com/post?post_id=14774358&tim=ARAbClhcBQNwWRIVGAoGBB5QX1sO0O0O&ref=BFlBUFwL&ref_type=105
活动截止时间:2025/10/26 18:00(UTC+8)
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复旦团队研发超快闪存集成工艺:20纳秒超快编程、10年非易失
金十数据8月13日讯,复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上,实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而,如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战。同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是当前国际最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。本工作将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用。