💙 Gate廣場 #Gate品牌蓝创作挑战# 💙
用Gate品牌藍,描繪你的無限可能!
📅 活動時間
2025年8月11日 — 8月20日
🎯 活動玩法
1. 在 Gate廣場 發布原創內容(圖片 / 視頻 / 手繪 / 數字創作等),需包含 Gate品牌藍 或 Gate Logo 元素。
2. 帖子標題或正文必須包含標籤: #Gate品牌蓝创作挑战# 。
3. 內容中需附上一句對Gate的祝福或寄語(例如:“祝Gate交易所越辦越好,藍色永恆!”)。
4. 內容需爲原創且符合社區規範,禁止抄襲或搬運。
🎁 獎勵設置
一等獎(1名):Gate × Redbull 聯名賽車拼裝套裝
二等獎(3名):Gate品牌衛衣
三等獎(5名):Gate品牌足球
備注:若無法郵寄,將統一替換爲合約體驗券:一等獎 $200、二等獎 $100、三等獎 $50。
🏆 評選規則
官方將綜合以下維度評分:
創意表現(40%):主題契合度、創意獨特性
內容質量(30%):畫面精美度、敘述完整性
社區互動度(30%):點讚、評論及轉發等數據
三星電子NRD-K半導體研發綜合體進機 將導入ASML High NA EUV光刻設備
金十數據11月20日訊,三星電子舉行了位於器興園區的NRD-K新半導體研發綜合體的進機儀式。NRD-K半導體研發綜合體將成為三星電子DS部下屬三大事業部(存儲器、系統LSI和Foundry)的共同核心研發基地,到2030年這一項目將累計獲得約20萬億韓元的投資。NRD-K還將包含一條研發專用線,該產線將於2025年中投入使用。NRD-K綜合體將導入ASML High NA EUV光刻機、新材料沉積設備在內的一系列最先進半導體生產工具,旨在加速3D DRAM、千層V-NAND在內的下代存儲芯片開發。